반도체에 대해 알아보기 4 - 산화 공정

산화 공정 앞에서 살펴본 웨이퍼 공정에서 잉곳을 만든 후 절단하여 웨이퍼를 만듭니다. 하지만, 이 상태에서는 전기가 통하지 않는 부도체의 상태이므로 특정 조건에서 전기가 흐르는 반도체의 성질을 가질 수 있도록 처리가 필요합니다. 이를 위해, 웨이퍼 위에 산화막을 형성하는 작업이 있는데, 이를 산화 공정이라고 합니다. 구체적으로는 웨이퍼에 여러가지 물질로 얇은 막을 증착하는 대표적인 방법으로, 열산화 방법 등을 통해 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)형성 시킵니다. * 열산화 방법 : 고온(800~1200도)에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌리는 산화막을 형성하는 방식의 대표적인 방법으로 건식 산화(Dry Oxidation)와 습식 산화(Wet Oxidation)가 있습니다. - 건식 산화 : 순수한..